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科目名：　電子工学�U （英文科目名：Electronic Engineering II）　１単位　必修　電子制御工学科 4年　後期

担当教官：金野茂男（居室：電子制御工学科棟３階）Tel: 0285-20-2259 E-mail: kinno@oyama-ct.ac.jp

授業目的

　　前期に開講される電子工学�Tに引き続いた科目である。半導体の基礎に関する前期の内容に引き続いた授業を行う。

各種半導体デバイスの原理、構造、特性、製作技術について初等知識を習得することを目的とし、更なる専門科目の

導入科目として位置づける。

達成目標

　（１）半導体の原理、構造、特性について説明ができる。

　（２）各種半導体デバイスの原理、構造、特性の初等的な説明がきる。

　（３）半導体デバイスの製作プロセスについて説明ができる。

技術者教育プログラムの学習・教育目標：（Ａ）

ＪＡＢＥＥ基準１の（１）との関係：（ｃ）、（ｄ）、（ｇ）

教科書

「基礎半導体工学」小林他、コロナ社

「半導体デバイス概論」寺本　巌、培風館

参考書

特に指定はしない。

授業及び学習内容

　　　１．ダイオード−ｐｎ接合、構造と特性、電圧電流特性、ツエナー効果、ヘテロ接合、ショットキー接合　（１週）

　　　２．バイポーラトランジスタ−構造と特性、動作原理、各種接地回路及び特性　（２週）

　　　３．電界効果トランジスタ−ＪＦＥＴ構造と特性、ＭＩＳ型構造と特性、プレーナ型ＭＯＳの構造と特性　（２週）

　　　４．他の素子の構造と特性−トンネルダイオード、サイリスタ　（１週）

　　　後期中間試験

　　　５．受光素子の構造と特性−光導電セル、ホトダイオード、ホトトランジスタ、太陽電池　（２週）

　　　６．発光素子の構造と特性−発光ダイオード、レーザーダイオード　（２週）

　　　７．半導体作成技術−単結晶作成方法、薄膜結晶作成方法、気相成長方法、集積回路作成方法　　（３週）

　　　学年末試験

評価方法

　下記によって行う。

　（１）定期試験　８０％

　（２）課題の達成　２０％

連絡事項

　（１）授業方法は教科書に準じた講義形式とする。

　（２）適宜に演習宿題を課す。必ず行うこと。

　（３）定期試験はメモ用紙持ち込み可である。