電子工学�U

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科目名：電子工学�U（英文科目名：Electronic Engineering�U）
　　　　１単位　選択　電子制御工学科４年　前期
担当教官：内藤一郎（非常勤：筑波技術短期大学）
　　　　　Tel：029-858-9392　　E-mail： naito@a.tsukuba-tech.ac.jp

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授業目標：
　１．バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタの理解
　２．各種半導体デバイスの原理，構造，特性の理解
　３．半導体デバイスの製作プロセスの理解
達成目標：
　１．バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタの違いについて説明 できる．
　２．各種半導体デバイスの原理，構造，特性の初等的な説明ができる．
　３．半導体デバイスの製作プロセスについて説明ができる．

技術者教育プログラムの学習・教育目標：（A-1），（B-2）
JABEE基準１の（１）との関係：（ｃ），（ｄ(2-a)），（ｇ）

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教科書：特に指定しない
参考書：
　１．松波弘之・吉本昌広　「半導体デバイス」（共立出版）
　２．宮尾　亘　「やさしく楽しい電子デバイス工学」（日本理工出版会）
　３．玉井輝雄　「図解による半導体デバイスの基礎」（コロナ社）

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授業内容：
　１．バイポーラトランジスタ−基本構造と動作特性，電気的特性，周波特 性　（３週）
　２．電界効果トランジスタ−MOS構造，増幅特性，接合形FET　（２ 週）
　３．集積回路−MOS集積回路，メモリ回路，CCD，アナログIC　 （２週）
　４．パワーデバイス−サイリスタ，パワートランジスタ　（２週）
　５．受光デバイス−光導電効果と光起電効果，太陽電池，ホトダイオード 　（２週）
　６．発光デバイス−発光ダイオード，半導体レーザ　（２週）
　７．半導体生成技術−単結晶作成方法，薄膜結晶作成方法，気相成長方法 　（２週）

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評価方法：
　学生は，次のいずれかの評価方法を選択することができる．
　　１．定期試験（100％）
　　２．定期試験（60％）とレポート課題（40％）の加重平均

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連絡事項：
　１．授業方法は講義形式とし，必要に応じて参考資料を配布する．
　２．単に覚えるのでなく，常に疑問を抱きながら取り組んで欲しい．
　３．定期試験は電卓，自筆メモ用紙（１枚）の持ち込みを可とする．

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