科目名 |
電子工学U |
英語科目名 |
Electronic
Engineering U |
開講年度・学期 |
平成18年度・後期 |
対象学科・専攻・学年 |
電子制御工学科 4年 |
授業形態 |
講義 |
必修or選択 |
選択 |
単位数 |
1単位 |
単位種類 |
履修単位(30時間単位) |
担当教員 |
伊藤久夫 |
居室(もしくは所属) |
専攻科棟5階 |
電話 |
0285-20-2255 |
E-mail |
ito |
授業の達成目標 |
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半導体デバイスがどのような原理に基づいて動作しているのか、その基本を理解する。 1.エネルギー帯を用いて、金属・半導体・絶縁体の特性を説明できる。 2.少数キャリアを利用したデバイスの基本となるpn接合の概念を理解する。 3.電界効果トランジスタ、電荷転送デバイスの動作原理を説明できる。 4.受光素子、発光素子の動作原理を説明できる。 |
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各達成目標に対する達成度の具体的な評価方法 |
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定期試験(中間、期末)の成績で評価する。総合して60%以上を合格とする。 |
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評価方法 |
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定期試験(中間、期末)の成績で評価する。総合して60%以上を合格とする。 |
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授業内容 |
授業内容に対する予習項目 |
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1.半導体内の電子;エネルギー帯モデル、n型・p型半導体、キャリア濃度、電気伝導(2週) 2.半導体材料;半導体となりうる条件、結晶作成法(2週) 3.pn接合;pn接合の形成、接合ダイオード、空乏層、可変容量素子(3週) (中間試験) 4.トランジスタ;バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ、MOSトランジスタ(2週) 5.電荷転送デバイス;CCD、BBD、他(2週) 6.受光素子;半導体の光吸収、光伝導セル、フォトダイオード、フォトトランジスタ、太陽電池(2週) 7.発光素子;放射性再結合、発光ダイオード、半導体レーザ(1週) (期末試験) |
指定したテキストの該当項目についての事前学習 |
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キーワード |
半導体、電子デバイス、pn接合、トランジスタ、ダイオード、受光素子、発光素子 |
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教科書 |
寺本 巌「半導体デバイス概論」(1995) |
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参考書 |
1.宇佐美 晶、他「電子デバイス物性」日本理工出版会(1988) 2.藤枝 一郎「画像入出力デバイスの基礎」森北出版(2005) |
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技術者教育プログラムの学習・教育目標 |
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(A-1)科学や工学の基本原理や法則を身につける。 (A-2)基礎知識を専門工学分野に応用して解ける。 |
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JABEE基準1の(1)との関係 |
d(2-a) |
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カリキュラム中の位置づけ |
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前年度までの関連科目 |
電子回路T・U |
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現学年の関連科目 |
電子工学T |
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次年度以降の関連科目 |
物性工学T・U、 |
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連絡事項 |
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1.授業方法は講義を中心とし,演習問題や課題を出して解答の提出を求める。 2.問題や課題は必ず行い、理解を深めること。 |
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シラバス作成年月日:平成18年2月17日 |