科目名 |
電子工学U |
英語科目名 |
Electronic
Engineering U |
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開講年度・学期 |
平成19年度・後期 |
対象学科・専攻・学年 |
電子制御工学科 4年 |
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授業形態 |
講義 |
必修or選択 |
必修 |
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単位数 |
1単位 |
単位種類 |
履修単位(30h) |
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担当教員 |
伊藤久夫 |
居室 |
専攻科棟5階 |
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電話 |
0285-20-2255 |
E-mail |
ito @oyama-ct.ac.jp |
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授業の達成目標 |
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半導体デバイスがどのような原理に基づいて動作しているのか、その基本を理解する。 1.エネルギー帯を用いて、金属・半導体・絶縁体の特性を説明できる。 2.少数キャリアを利用したデバイスの基本となるpn接合の概念を理解し説明できる。 3.各種pn接合素子、電荷転送デバイスの動作原理を説明できる。 4.受光素子、発光素子、表示素子等の半導体デバイスの動作原理を説明できる。 |
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各達成目標に対する達成度の具体的な評価方法 |
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定期試験(中間、期末)の成績で評価する。総合して60%以上を合格とする。 |
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評価方法 |
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定期試験(中間、期末)の成績で評価する。総合して60%以上を合格とする。 |
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授業内容 |
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1.本科目の全体説明、水素原子モデルと固体のエネルギー帯 |
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2.エネルギー帯を用いた物質の分類と電気的性質 |
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3.真性半導体と不純物半導体、n型半導体とp型半導体 |
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4.キャリア濃度と状態密度、フェルミ−ディラック統計 |
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5.pn接合と接合ダイオード、エネルギー帯と電圧電流特性
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6.各種ダイオード;ツェナーダイオードとアバランシェダイオード |
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7.受光素子とフォトダイオード、電圧電流特性
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8.(後期中間試験) |
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9.pn接合と発光素子、ヘテロ接合素子 |
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10.発光ダイオード;発光のメカニズムと発光材料
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11.半導体レーザ;動作原理、性能向上と応用システム |
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12.電荷転送デバイス;BBDとCCDの動作原理 |
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13.CCDセンサとCMOSセンサ |
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14.表示素子と液晶ディスプレイ
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15.半導体デバイスまとめ
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(後期期末試験) |
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キーワード |
半導体、電子デバイス、pn接合、トランジスタ、ダイオード、受光素子、発光素子 |
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教科書 |
寺本 巌「半導体デバイス概論」培風館(1995)、小林 敏志、他「基礎半導体工学」コロナ社 必要に応じてプリント配布 |
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参考書 |
1.宇佐美 晶、他「電子デバイス物性」日本理工出版会(1988) 2.藤枝 一郎「画像入出力デバイスの基礎」森北出版(2005)、他 |
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小山高専の教育方針@〜Eとの対応 |
C |
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技術者教育プログラムの学習・教育目標 |
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(A−1) (A−2) |
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JABEE基準1の(1)との関係 |
d(1) |
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カリキュラム中の位置づけ |
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前年度までの関連科目 |
電子回路T・U |
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現学年の関連科目 |
電子工学T |
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次年度以降の関連科目 |
物性工学T・U |
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連絡事項 |
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1.授業方法は講義と演習を中心とし,ときどき課題を出して解答の提出を求める。 2.問題や課題は必ず行い理解を深めること。 |
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シラバス作成年月日:平成19年2月27日 |
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