科目名	電子工学�U		英語科目名	Electronic Engineering �U
開講年度・学期	平成２０年度・後期		対象学科・専攻・学年	電子制御工学科　５年
授業形態	講義		必修or選択	必修
単位数	１単位		単位種類	履修単位（３０ｈ）
担当教員	伊藤久夫		居室（もしくは所属）	専攻科棟５階
電話	0285-20-2255		E-mail	ito＠　oyama-ct.ac.jp
授業の達成目標
＜注意＞本科目は、昨年度(H19)迄は4年生を対象に選択科目として後期開講していた科目である。今年度は、昨年度の未受講者のうち本科目の受講を希望する学生のみを対象とする履修単位科目として開講する。(来年度からは、学修単位科目として内容を追加し、今年度と同様5年生を対象に後期開講していく予定) ・・・・・ 半導体デバイスがどのような原理に基づいて動作しているのか、その基本を理解する。 １．エネルギー帯を用いて、金属・半導体・絶縁体の特性を説明できる。 ２．少数キャリアを利用したデバイスの基本となるpn接合の概念を理解し説明できる。 ３．各種pn接合素子、電荷転送デバイスの動作原理を説明できる。 ４．受光素子、発光素子、表示素子等の半導体デバイスの動作原理を説明できる。
各達成目標に対する達成度の具体的な評価方法
定期試験(中間、期末)の成績で評価する。総合して60％以上を合格とする。
評価方法
定期試験(中間、期末)の成績で評価する。総合して60％以上を合格とする。
授業内容
１．本科目の全体説明、水素原子モデルと固体のエネルギー帯
２．エネルギー帯を用いた物質の分類と電気的性質
３．真性半導体と不純物半導体、n型半導体とｐ型半導体
４．キャリア濃度と状態密度、フェルミ−ディラック統計
５．pn接合と接合ダイオード、エネルギー帯と電圧電流特性
６．各種ダイオード；ツェナーダイオードとアバランシェダイオード
７．受光素子とフォトダイオード、電圧電流特性
８．（後期中間試験）
９．pn接合と発光素子、ヘテロ接合素子
10．発光ダイオード；発光のメカニズムと発光材料
11．半導体レーザ；動作原理、性能向上と応用システム
12．電荷転送デバイス；BBDとCCDの動作原理
13．CCDセンサとCMOSセンサ
14．表示素子と液晶ディスプレイ
15．半導体デバイスまとめ
（後期期末試験）
キーワード	半導体、電子デバイス、pn接合、トランジスタ、ダイオード、受光素子、発光素子
教科書	寺本　巌「半導体デバイス概論」培風館（1995）、小林　敏志、他「基礎半導体工学」コロナ社、必要に応じてプリント配布
参考書	１．宇佐美　晶、他「電子デバイス物性」日本理工出版会（1988） ２．藤枝　一郎「画像入出力デバイスの基礎」森北出版（2005)、他
小山高専の教育方針�@〜�Eとの対応		�C
技術者教育プログラムの学習・教育目標
（A−1）（A−2）
JABEE基準１の（１）との関係			d(1)
カリキュラム中の位置づけ
前年度までの関連科目			電子回路�T･�U
現学年の関連科目			電子工学�T
次年度以降の関連科目			物性工学�T･�U
連絡事項
１．授業方法は講義と演習を中心とし，ときどき課題を出して解答の提出を求める。 ２．問題、課題等は必ず行い理解を深めること。
シラバス作成年月日	平成20年2月27日