情報デバイス工学　(E科 専門科目)　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2005年度

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科目名：情報デバイス工学（英文科目名：Information Device Engineering）

１単位　選択　電気情報工学科５年　前期　講義

担当教官：田中昭雄（居室：電気・物質棟１階）

　　　　　Tel:0285-20-2233　E-mail:atanaka@oyama-ct.ac.jp

授業目的：

１．半導体材料の電気的特性、ダイオード、トランジスタ等の基本デバイスについて理解と知識を得る。

２．半導体集積回路の構造と動作に関する理解を得る。

３．発光ダイオード、赤外線センサ、液晶ディスプレイなど光・電子的なデバイスに関する理解と知識を得る。

達成目標：

１．半導体材料の電気的特性について説明できること。

２．集積回路の構造、動作について説明できること。

３．赤外線センサ、液晶ディスプレイなど光・電子的なデバイスの構造、動作について説明できること。

プログラムの学習・教育目標　：(A-1), (B-2)

JABEE 基準 1 の（1）との関係：(c), (d(1))

教科書：桜庭一郎・岡本淳　著「電子デバイスの基礎」森北出版株式会社

　　

参考書：半導体工学関係の書籍

　

学習方法：

　予習−教科書を事前に読み、理解し得ない点を明らかにしておく。

　授業−黒板の講義内容を整理・記録し、理解する。

　復習−授業で与えられた課題、教科書の問題を自ら解き、学習内容の理解を深める。

学習保証時間：

　100（分/週）ｘ15（週/年）＝1500（分/年）＝25（時間/年）

キーワード：半導体、トランジスタ、集積回路、光センサ、液晶

授業内容：

１．半導体の基礎（１週）

　　　エネルギー帯とキャリア、半導体の電気伝導、ホール効果

２．pn接合とショットキー障壁（２週）

　　　pn接合の構造、電流-電圧の特性、サイリスタ、ショットキーダイオード

３．接合形トランジスタ（２週）

　　　トランジスタの構造、トランジスタの静特性

４．電界効果トランジスタ（２週）

　　　ＭＯＳ構造、増幅特性

　（前期中間試験）

５．集積回路（１週）

　　　ロジック回路、メモリＩＣ、アナログＩＣ　

６．光デバイス（２週）

　　　光電子変換管、発光ダイオード

７．赤外線センサ（２週）

　　　赤外線センサの評価法、種類と特性、量子形センサ（半導体センサ）　

８．表示デバイス（２週）

　　　ブラウン管、液晶デバイス、エレクトロルミネセンス

　（前期末試験）

授業方法：

・講義を中心として、適宜課題を与える。

・学習の達成度は試験を行い、達成度を知らせる。

・授業時間以外でも質問がある場合は応じる。

カリキュラム中の位置付け：

　固体中における電子の運動を理解した上で、ダイオード、トランジスタおよび集積回路等の半導体デバイスの

基本構造、特性から応用までを学ぶ専門科目である。

この科目を学ぶために先行して理解する必要のある科目：自然科学（化学、物理）、電子デバイス工学、電子物性

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

この科目と同時に学ぶ関連科目：なし

この科目の後に学ぶ関連科目：なし

評価方法：

　・定期試験の成績８０％および課題２０％を総合して評価する。

連絡事項：学習において理解し得ない点は、質問に応ずる。

学生へのメッセージ：

・様々な情報デバイスの動作原理と物理現象がどう関わっているかという観点からの理解を深めてもらいたい。

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