科目名	電子工学		英語科目名	Electronic Engineering
開講年度・学期	平成２０年度・前期		対象学科・専攻・学年	電気情報工学科３年
授業形態	講義		必修or選択	必修
単位数	１単位		単位種類	履修単位（３０ｈ）
担当教員	森夏樹		居室（もしくは所属）	専攻科棟５階
電話	0285-20-2228		E-mail	mori@小山高専ﾄﾞﾒｲﾝ名
授業の達成目標
１．真性・不純物半導体のフェルミ準位・不純物準位などバンド構造を記述できること。 ２．半導体の電気伝導（抵抗率、移動度、拡散電流）について理解すること。 ３．ｐｎ接合の特性についてバンド構造を用いて説明できること。 ４．トランジスタの特性についてバンド構造を使って説明できること。 ５．電界効果トランジスタの原理について理解すること。 ６．太陽電池、発光ダイオードの原理を理解すること。
各達成目標に対する達成度の具体的な評価方法
達成目標１〜６について、 ○基本的には、中間試験・学期末試験で、６０％以上の成績で評価する。 ○授業中に、そのときの講義内容の基礎となる事項について、演習・課題を与えることで授業内容の理解を深めるように努める。
評価方法
定期試験６０％、その他、授業中に出題する課題等に対する評価４０％。試験で正解できなかった箇所についてレポートとして提出した場合には適宜加点される。
授業内容
１．1章.半導体の基礎1.1半導体（特性・結晶・ミラー指数）。1.2半導体のエネルギー構造（真性半導体のバンド構造）
２．（続き）半導体のエネルギー構造（ｐ形・ｎ形半導体のバンド構造、不純物準位、フェルミ準位
３．1.3半導体中のキャリア分布（状態密度・分布関数・キャリア密度の求め方）
４．1.4キャリア密度の式、ｐｎ積。1.5真性半導体のフェルミ準位、フェルミ準位とキャリア密度の温度変化
５．1.6半導体の電界応答（ドリフト速度、電流密度、オームの法則、移動度）
６．1.7拡散電流（拡散現象、拡散係数、拡散長）
７．1.8ホール効果（ローレンツの力、ホール素子、ホール効果から分かること）
８．（前期中間試験）
９．２章半導体ダイオード。2.1pn接合（EFの一致、熱平衡状態のバンド構造、拡散電位の式）
10．2.2 pn接合のＩ−Ｖ特性（順方向・逆方向のバンド図、ｐｎ接合の電流を表す式）
11．（続き）逆方向の降伏現象。2.3ｐｎ接合容量と拡散電位差の求め方。2.4その他のダイオード
12．３章バイポーラ型トランジスタ3.1構造と増幅の原理。3.2ベース接地とエミッタ接地の電流増幅率
13. 3.2ベース接地とエミッタ接地の電流増幅率。3.3静特性とバンド構造
14. ４章電界効果型トランジスタ4.1接合型ＦＥＴ。 4.2ＭＯＳ型ＦＥＴの構造と動作原理
17. ５章5.1光起電力ﾃﾞﾊﾞｲｽ。5.2発光ダイオード。
18. （前期期末試験）
キーワード	半導体、ミラー指数、エネルギーバンド、フェルミ準位、フェルミ分布関数、電気伝導、拡散電流、ホール効果、ダイオード、トランジスタ、ＦＥＴ、太陽電池、発光ダイオード
教科書	宮尾　亘「やさしく楽しい電子デバイス工学」日本理工出版会(2004) 他に、プリントを配布予定
参考書	○中澤　達夫、藤原　勝幸「電子工学基礎」コロナ社（1998） ○F.R.コロー（吉森　茂(訳)）「電子デバイス入門」森北出版（1986）
小山高専の教育方針�@〜�Eとの対応		�B
技術者教育プログラムの学習・教育目標
JABEE基準１の（１）との関係
カリキュラム中の位置づけ
前年度までの関連科目			電子情報工学、電磁気学�T、
現学年の関連科目			電子回路、電磁気学�T
次年度以降の関連科目			電子デバイス工学、電子物性、情報デバイス工学
連絡事項
授業内容について随時質問に応じる。電子メールでも可。 学生へのメッセージ：現在のエレクトロニクスを支えている基本理論である、エネルギーバンドの概念について分かり易く説明する。我々には直接見ることが出来ない、電子の世界をどのようにとらえるかを知り、電子の知恵の素晴らしさにふれて欲しい。
シラバス作成年月日：平成20年2月28日