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科目名 |
情報デバイス工学 |
英語科目名 |
Information Devices Engineering |
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開講年度・学期 |
平成20年度・後期 |
対象学科・専攻・学年 |
電気情報工学科５年 |
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授業形態 |
講義 |
必修or選択 |
選択 |
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単位数 |
２単位 |
単位種類 |
学修単位（15+30）h |
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担当教員 |
田中 昭雄 |
居室（もしくは所属） |
電気・物質棟１階 |
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電話 |
0285-20-2233 |
E-mail |
atanaka@小山高専ドメイン名 |
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授業の達成目標 |
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１．半導体材料の電気的特性、ダイオード、トランジスタ等の基本デバイスについて理解と知識を得る。 ２．半導体集積回路の構造と動作に関する理解を得る。 ３．発光ダイオード、赤外線センサ、液晶ディスプレイなど光・電子的なデバイスに関する理解と知識を得る。 |
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各達成目標に対する達成度の具体的な評価方法 |
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・１～３．定期試験において60％以上の成績で評価する。 |
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評価方法 |
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・中間試験および期末試験の成績を平均して評価する。 |
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授業内容 |
授業内容に対する自学自習項目 |
自学自習時間 |
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１．固体のエネルギー帯
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・電子の波動性、半導体のエネルギー帯について理解する |
４ |
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２．半導体のキャリア |
・半導体中のキャリアの発生・再結合、およびﾄﾞﾘﾌﾄ電流・拡散電流等についてまとめる |
４ |
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３．PN接合 |
・電流－電圧特性、接合容量についてまとめる |
４ |
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４．ショットキー接合 |
・PN接合との違い、電流－電圧特性および接合容量にまとめる |
４ |
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５．ダイオードの種類と応用 |
・ダイオードの種類、およびそれらの動作原理についてまとめる |
４ |
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６．接合形トランジスタ |
・接合形トランジスタの動作原理をまとめる |
４ |
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７．電界効果トランジスタ |
・電界効果トランジスタの動作原理をまとめる |
４ |
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８．（中間試験） |
・中間試験に関する例題を復習する |
４ |
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９．マイクロ波半導体デバイス |
・ガンダイオード、インパットダイオードの動作原理について理解する |
４ |
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10．赤外線センサの原理 |
・赤外線センサの動作原理について理解する |
４ |
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11．赤外線センサの種類と応用 |
・赤外線センサの種類についてまとめる |
４ |
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12．光デバイス（発光素子） |
・発光素子の動作原理、種類についてまとめる |
４ |
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13．光デバイス（受光素子） |
・受光素子の動作原理、種類についてまとめる |
４ |
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14．集積回路 |
・集積回路の特徴、RAM・ROM等の動作原理についてまとめる |
４ |
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15．表示デバイス |
・液晶、CRT等の各種表示デバイスの動作原理についてまとめる ・期末試験に関する例題を復習する |
４ |
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（期末試験） |
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自学自習時間合計 |
６０ |
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キーワード |
半導体、トランジスタ、光センサ、液晶 |
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教科書 |
桜庭一郎・岡本淳 著「電子デバイスの基礎」森北出版株式会社 |
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参考書 |
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小山高専の教育方針①～⑥との対応 |
④ |
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技術者教育プログラムの学習・教育目標 |
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（A-1）科学や工学の基本原理や法則を身につける。 |
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JABEE基準１の（１）との関係 |
(d(2-a)) （d） 該当する分野の専門技術に関する知識とそれらを問題解決に応用できる能力 (2)専門工学の知識・能力 a)専門工学（工学（融合複合・新領域）における専門工学の内容は申請高等教育機関が規定するものとする）の知識と能力 |
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カリキュラム中の位置づけ |
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前年度までの関連科目 |
自然科学（化学、物理）、電子デバイス工学 |
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現学年の関連科目 |
電気材料 |
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次年度以降の関連科目 |
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連絡事項 |
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・学習において理解し得ない点は、質問に応ずる。 |
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シラバス作成年月日 |
平成20年2月29日 |
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