科目名	情報デバイス工学		英語科目名	Information Devices Engineering
開講年度・学期	平成22年度・前期		対象学科・専攻・学年	電気情報工学科5年
授業形態	講義		必修or選択	選択
単位数	2単位		単位種類	学修単位（15+30）h
担当教員	田中　昭雄		居室（もしくは所属）	電気・物質棟１階
電話	0285-20-2233		E-mail	atanaka@小山高専ドメイン名
授業の達成目標
１．半導体材料の電気的特性、ダイオード、トランジスタ等の基本デバイスについて理解と知識を得る。 ２．半導体集積回路の構造と動作に関する理解を得る。 ３．発光ダイオード、赤外線センサ、液晶ディスプレイなど光・電子的なデバイスに関する理解と知識を得る。
各達成目標に対する達成度の具体的な評価方法
１．達成目標１〜３．定期試験において60％以上の成績で評価する。 ２．達成目標１〜３．課題に対する提出レポートの内容を設定水準で評価する。
評価方法
・評価は下記２項目の加重平均によって行う。 １．中間および期末試験の平均（８０％） ２．演習問題や課題の解答内容（２０％）
授業内容		授業内容に対する自学自習項目			自学自習時間
１．固体のエネルギー帯		・電子の波動性、半導体のエネルギー帯に関する課題をまとめ提出する。			４
２．半導体のキャリア		・半導体中のキャリアの発生・再結合、およびﾄﾞﾘﾌﾄ電流・拡散電流等に関する課題をまとめ提出する。			４
３．PN接合		・電流−電圧特性、接合容量に関する課題をまとめ提出する。			４
４．ショットキー接合		・PN接合との違い、電流−電圧特性および接合容量について、レポートにまとめ提出する。			４
５．ダイオードの種類と応用		・ダイオードの種類、およびそれらの動作原理について、レポートにまとめ提出する。			４
６．接合形トランジスタ		・接合形トランジスタの動作原理をレポートにまとめ提出する。			４
７．電界効果トランジスタ		・電界効果トランジスタの動作原理をレポートにまとめ提出する。			４
８．（中間試験）		・中間試験に関する課題をまとめ提出する。			４
９．マイクロ波半導体デバイス		・ガンダイオード、インパットダイオードの動作原理について、レポートにまとめ提出する。			４
10．赤外線センサの原理		・赤外線センサの動作原理に関する課題をまとめ提出する。			４
11．赤外線センサの種類と応用		・赤外線センサの種類と応用例について、レポートにまとめ提出する。			４
12．光デバイス（発光素子）		・発光素子に関する課題をまとめ提出する。			４
13．光デバイス（受光素子）		・受光素子に関する課題をまとめ提出する。
14．集積回路		・集積回路の特徴、RAM・ROM等に関する課題をまとめ提出する。			４
（期末試験）
15．期末試験の解答説明		・期末試験に関する課題をまとめ提出する。			４
		自学自習時間合計			６０
キーワード	半導体、ダイオード、トランジスタ、光センサ、集積回路
教科書	桜庭一郎・岡本淳　著「電子デバイスの基礎」森北出版株式会社
参考書
小山高専の教育方針�@〜�Eとの対応		�C
技術者教育プログラムの学習・教育目標
（A-2）基礎知識を専門工学分野の問題に応用して解くことができること。
JABEE基準１の（１）との関係			d(2-a)
カリキュラム中の位置づけ
前年度までの関連科目			自然科学（化学、物理）、電子デバイス工学
現学年の関連科目			電気材料
次年度以降の関連科目
連絡事項
・理解が困難な場合は、その都度相談に応じる。
シラバス作成年月日	平成22年2月24日